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    cmos finfet 文章 最新資訊

    走進(jìn)芯片:CMOS反相器

    • 以一個(gè)實(shí)際的CMOS反相器實(shí)物為例,從逆向的角度出發(fā),為大家簡單介紹其在芯片中的具體呈現(xiàn)形式。通過這一過程,希望能夠幫助各位讀者在后續(xù)的逆向工程實(shí)踐中,快速而準(zhǔn)確地判斷出CMOS反相器,從而為深入分析芯片的整體架構(gòu)和功能奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。在芯片的微觀世界中,CMOS反相器通常由一個(gè)P型MOSFET和一個(gè)N型MOSFET組成。這兩個(gè)晶體管的源極和漏極分別相連,形成一個(gè)互補(bǔ)對稱的結(jié)構(gòu)。當(dāng)輸入信號為低電平時(shí),N型MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài),而P型MOSFET則導(dǎo)通,電流從電源流向輸出端,使得輸出端呈現(xiàn)高電平;反之,
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    GlobalFoundries 與中國代工廠合作,進(jìn)行本地化汽車級 CMOS 生產(chǎn)

    • 盡管第三季度前景疲軟,受消費(fèi)者需求低迷影響,但 GlobalFoundries 正在中國采取大膽行動(dòng)。這家芯片制造商通過與新代工廠的新協(xié)議,正在加速其“中國為中國”戰(zhàn)略,首期將啟動(dòng)汽車級 CMOS 和 BCD 技術(shù),根據(jù)其 新聞稿 和 IT Home 的報(bào)道。如 IT之家所強(qiáng)調(diào),并援引公司高管的話,目標(biāo)訂單來自在中國有需求的國內(nèi)外半導(dǎo)體公司——在轉(zhuǎn)移代工廠時(shí),無需客戶重新開發(fā)或重新認(rèn)證其芯片設(shè)計(jì)。根據(jù)來自 Seeking Alpha 的財(cái)報(bào)記錄,
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    CMOS 2.0:后納米芯片時(shí)代的分層邏輯

    • 五十多年來,半導(dǎo)體行業(yè)一直依賴一個(gè)簡單的方程式——縮小晶體管,在每片晶圓上封裝更多晶體管,并隨著成本的下降而看到性能飆升。雖然每個(gè)新節(jié)點(diǎn)在速度、能效和密度方面都提供了可預(yù)測的提升,但這個(gè)公式正在迅速耗盡。隨著晶體管接近個(gè)位數(shù)納米工藝,制造成本正在飆升,而不是下降。電力傳輸正在成為速度與熱控制的瓶頸,定義摩爾定律的自動(dòng)性能提升正在減少。為了保持進(jìn)步,芯片制造商已經(jīng)開始抬頭看——字面意思。他們不是將所有內(nèi)容都構(gòu)建在一個(gè)平面上,而是垂直堆疊邏輯、電源和內(nèi)存。雖然 2.5D 封裝已經(jīng)將其中一些投入生產(chǎn),將芯片并排
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    全局快門CMOS傳感器選型指南:從分辨率到HDR的終極考量

    • 在高速視覺應(yīng)用的競技場中,全局快門CMOS圖像傳感器扮演著關(guān)鍵角色。當(dāng)設(shè)計(jì)需要捕捉高速動(dòng)態(tài)場景的方案時(shí),僅僅關(guān)注分辨率或幀率遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門機(jī)制——直接決定了能否無失真地“凍結(jié)”瞬間。深入理解全局快門在高速環(huán)境下的優(yōu)勢,并權(quán)衡光學(xué)格式、動(dòng)態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)(SNR)、像素架構(gòu),乃至功耗、接口、HDR處理能力等綜合特性,是選擇真正匹配高速需求的圖像傳感器的必經(jīng)之路。為了幫助篩選這些規(guī)格和功能,一個(gè)重要的考慮因素是傳感器的預(yù)期應(yīng)用。某些應(yīng)用需要非常高的分辨率來捕捉靜止物體,而另一些應(yīng)用
    • 關(guān)鍵字: 安森美  CMOS  傳感器  HDR  

    臺積電3納米FinFET 三星2納米恐難敵

    • 市場近期盛傳三星將押注資源發(fā)展2納米,預(yù)計(jì)最快明年于美國德州廠率先導(dǎo)入2納米制程,企圖彎道超車臺積電。 半導(dǎo)體業(yè)界透露,三星目前以GAAFET打造之3納米,約為目前競爭對手4納米FinFET水平,分析2納米效能恐怕不如臺積電最后也是最強(qiáng)一代之3納米FinFET。 尤其臺積電再針對3納米發(fā)展更多家族成員,包括N3X、N3C、N3A等應(yīng)用,未來仍會(huì)是主流客戶之首選。盤點(diǎn)目前智能手機(jī)旗艦芯片,皆使用臺積電第二代3納米(N3E),僅有三星Exynos 2500為自家3納米GAAFET; 各家業(yè)者今年預(yù)計(jì)迭代進(jìn)入第
    • 關(guān)鍵字: 臺積電  3納米  FinFET  三星  2納米  

    這一領(lǐng)域芯片,重度依賴臺積電

    • 英特爾和三星正在研發(fā)先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)的封裝技術(shù),但目前所有大型廠商都已 100% 依賴臺積電。大型語言模型(例如 ChatGPT 等 LLM)正在推動(dòng)數(shù)據(jù)中心 AI 容量和性能的快速擴(kuò)展。更強(qiáng)大的 LLM 模型推動(dòng)了需求,并需要更多的計(jì)算能力。AI 數(shù)據(jù)中心需要 GPU/AI 加速器、交換機(jī)、CPU、存儲(chǔ)和 DRAM。目前,大約一半的半導(dǎo)體用于 AI 數(shù)據(jù)中心。到 2030 年,這一比例將會(huì)更高。臺積電在 AI 數(shù)據(jù)中心邏輯半導(dǎo)體領(lǐng)域幾乎占據(jù) 100% 的市場份額。臺積電生產(chǎn):Nv
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    2D CMOS,下一個(gè)飛躍

    • 二維材料憑借其原子級厚度和高載流子遷移率,提供了一種極具前景的替代方案。
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    激光雷達(dá)掃壞CMOS,難道汽車都要變成“光棱坦克”了?

    • 激光雷達(dá),對于汽車產(chǎn)業(yè)的重要性不言而喻,它是自動(dòng)駕駛汽車感知周圍環(huán)境的關(guān)鍵傳感器之一。憑借其高精度的 360 度全方位掃描能力,激光雷達(dá)能夠?qū)崟r(shí)生成車輛周圍環(huán)境的精確三維地圖,精準(zhǔn)檢測并追蹤其他車輛、行人、障礙物等,為自動(dòng)駕駛決策系統(tǒng)提供精準(zhǔn)且可靠的數(shù)據(jù)支持,是保障自動(dòng)駕駛汽車安全行駛、實(shí)現(xiàn)智能駕駛功能落地的核心基石,正推動(dòng)著汽車產(chǎn)業(yè)向著更智能、更安全的方向加速變革。但是在給車輛更安全的環(huán)境感知能力之時(shí),各位讀者有沒有想過,這些越來越多激光雷達(dá),會(huì)逐漸開始危害我們的財(cái)產(chǎn)安全,而首當(dāng)其沖的就是手機(jī)
    • 關(guān)鍵字: 激光雷達(dá)  CMOS  攝影  ADAS  

    Finwave籌集820萬美元短期投資以推動(dòng)市場發(fā)展

    • 美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資,由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領(lǐng)投,技術(shù)合作伙伴 GlobalFoundries 戰(zhàn)略參與。Finwave 認(rèn)為,新一輪融資表明投資者和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者對其獨(dú)特的硅基氮化鎵技術(shù)的市場潛力充滿信心,因?yàn)樗趶囊约夹g(shù)為中心的創(chuàng)新者轉(zhuǎn)變?yōu)楫a(chǎn)品驅(qū)動(dòng)型公司。這家科技公司由麻省理工學(xué)院 (MIT) 的研究人員于 2012
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    “最后也是最好的FINFET節(jié)點(diǎn)”

    • 在該公司的北美技術(shù)研討會(huì)上,臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展和海外運(yùn)營辦公室高級副總裁兼聯(lián)合首席運(yùn)營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點(diǎn)”。臺積電的策略是開發(fā) N3 工藝的多種變體,創(chuàng)建一個(gè)全面的、可定制的硅資源。“我們的目標(biāo)是讓集成芯片性能成為一個(gè)平臺,”Zhang 說。 截至目前,可用或計(jì)劃中 N3 變體是:N3B:基準(zhǔn) 3nm 工藝。N3E:成本優(yōu)化的版本,具有更少的 EUV 層數(shù),并且沒有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3,但具有更好的良率。N3P:N3E 的增強(qiáng)版本,在相
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    CMOS可靠性測試:脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC?

    • 在半導(dǎo)體領(lǐng)域,隨著技術(shù)的不斷演進(jìn),對CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能(AI)、5G通信和高性能計(jì)算(HPC)等前沿技術(shù)的推動(dòng)下,傳統(tǒng)的可靠性測試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測試中的應(yīng)用,以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。引言對于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為而言,交流或脈沖應(yīng)力是傳統(tǒng)直流應(yīng)力測試的有力補(bǔ)充。在NBTI(負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性)和TDDB(隨時(shí)間變化的介電擊穿)試驗(yàn)中,應(yīng)力/測量循環(huán)通常采用直流信號,因其易于映射到器件模型中。然而,結(jié)
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    CMOS_Sensor國產(chǎn)替代到什么程度了?

    • 攝像頭CMOS傳感器(CMOS Image Sensor, CIS)是成像設(shè)備的核心部件,廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、安防監(jiān)控、汽車電子、工業(yè)檢測等領(lǐng)域。以下是國內(nèi)外主流的CMOS傳感器廠家及其主要特點(diǎn)和代表性型號:從智能手機(jī)到自動(dòng)駕駛,從安防監(jiān)控到工業(yè)檢測,CIS的身影無處不在。隨著技術(shù)不斷演進(jìn),CIS市場格局也在悄然變化。今天,我們就來一次全景掃描,盤點(diǎn)國內(nèi)外主流CMOS傳感器廠商,以及那些正在崛起的新興勢力。當(dāng)年最缺芯片的時(shí)候,我別的不擔(dān)心,最擔(dān)心買不到索尼的Sensor,結(jié)果一開始我們用中國臺灣的可以替代
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    臺積電2nm馬上量產(chǎn):工廠火力全開 蘋果首發(fā)

    • 3月31日消息,據(jù)媒體報(bào)道,位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產(chǎn)基地,預(yù)計(jì)今年下半年正式進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。在前期試產(chǎn)中,臺積電已經(jīng)做到了高達(dá)60%的良率表現(xiàn),待兩大工廠同步投產(chǎn)之后,月產(chǎn)能將攀升至5萬片晶圓,最大設(shè)計(jì)產(chǎn)能更可達(dá)8萬片。與此同時(shí),市場對2nm芯片的需求持續(xù)高漲,最新報(bào)告顯示,僅2025年第三、四季度,臺積電2納米工藝即可創(chuàng)造301億美元的營收,這一數(shù)字凸顯先進(jìn)制程在AI、高性能計(jì)算等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求。作為臺積電的核心客戶,蘋果將是臺積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者,預(yù)計(jì)iP
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    圖像傳感器選擇標(biāo)準(zhǔn)多?成像性能必須排第一

    • 當(dāng)涉及到技術(shù)創(chuàng)新時(shí),圖像傳感器的選擇是設(shè)計(jì)和開發(fā)各種設(shè)備過程中一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié),這些設(shè)備包括專業(yè)或家庭安防系統(tǒng)、機(jī)器人、條形碼掃描儀、工廠自動(dòng)化、設(shè)備檢測、汽車等。選擇最合適的圖像傳感器需要對眾多標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行復(fù)雜的評估,每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)影響最終產(chǎn)品的性能和功能。從光學(xué)格式和、動(dòng)態(tài)范圍到色彩濾波陣列(CFA)、像素類型、功耗和特性集成,這些標(biāo)準(zhǔn)的考慮因素多種多樣,錯(cuò)綜復(fù)雜。在各類半導(dǎo)體器件中,圖像傳感器可以說是最復(fù)雜的。這些傳感器將光子轉(zhuǎn)換為電信號,通過一系列微透鏡、CFA、像素和模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)產(chǎn)生數(shù)字輸出
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    SK海力士將關(guān)閉CIS圖像傳感器部門轉(zhuǎn)向AI存儲(chǔ)器領(lǐng)域

    • 3月7日消息,近日,綜合韓聯(lián)社、ZDNet Korea、MK等多家韓媒報(bào)道,SK海力士在內(nèi)部宣布將關(guān)閉其CIS(CMOS圖像傳感器)部門,該團(tuán)隊(duì)的員工將轉(zhuǎn)崗至AI存儲(chǔ)器領(lǐng)域。SK海力士稱其CIS團(tuán)隊(duì)擁有僅靠存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)無法獲得的邏輯制程技術(shù)和定制業(yè)務(wù)能力。存儲(chǔ)和邏輯半導(dǎo)體高度融合的趨勢下,將CIS團(tuán)隊(duì)和存儲(chǔ)部門聚合為一個(gè)整體,才能進(jìn)一步提升企業(yè)的AI存儲(chǔ)器競爭力。
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